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身份证号码150开头是哪里的,身份证号150开头的是哪里的 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  大家好,来(lái)看一则突发(fā)消息(xī)。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

  审查发现(xiàn),美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险,影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此,网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng),为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全,防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力身份证号码150开头是哪里的,身份证号150开头的是哪里的士、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约,确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

  有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析,如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì),或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽,催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自长江存(cún)储被加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速(sù),看好拓荆科技身份证号码150开头是哪里的,身份证号150开头的是哪里的(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公司(sī)份额提升,以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增(zēng)长。

 

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