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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31区别词和形容词的异同举例，区别词和形容词的异同点日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙区别词和形容词的异同举例，区别词和形容词的异同点采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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