大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重(zhòn15min什么意思多少分钟，15min等于多少分钟g)大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，15min什么意思多少分钟，15min等于多少分钟rong>国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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