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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(精益求精下一句是什么意思，精益求精下一句是什么德chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全精益求精下一句是什么意思，精益求精下一句是什么德球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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