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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)许昌学院是一本还是二本分数线，许昌学院是一本还是二本院校键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)许昌学院是一本还是二本分数线，许昌学院是一本还是二本院校骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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