大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的(de)华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型)入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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