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　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我铜的化合价怎么判断+2和+1的区别，汞的化合价国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开铜的化合价怎么判断+2和+1的区别，汞的化合价支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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