大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。r在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变r在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占r在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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