大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán除牛反绒是真皮吗，二层牛皮除牛反绒是真皮吗)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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