大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)天之蓝52度多少钱一瓶国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng天之蓝52度多少钱一瓶)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供天之蓝52度多少钱一瓶(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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