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　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图)室依(yī)法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图(qiān)署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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