大家(jiā)好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(s电池充到80好还是100好 充电到80真的能保护电池吗hěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(电池充到80好还是100好 充电到80真的能保护电池吗děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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