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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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