大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品九年一贯制教育是什么意思啊，九年一贯制啥意思进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光(九年一贯制教育是什么意思啊，九年一贯制啥意思guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约九年一贯制教育是什么意思啊，九年一贯制啥意思为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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