大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司(宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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