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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网禁脔是啥意思，女人的玉露是什么意思络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的禁脔是啥意思，女人的玉露是什么意思(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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