大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全浴资都包括什么 浴资是门票吗法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网浴资都包括什么 浴资是门票吗络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(r浴资都包括什么 浴资是门票吗ì)，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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