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bno护照是什么意思 bno护照是英国国籍吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息(xī)。

  美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审查

  据网信办(bàn)消息(xī),日前,网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn),影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá),目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全,是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险,维护国家安(ān)全,依(yī)据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》,网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收bno护照是什么意思 bno护照是英国国籍吗入从此前高(gāo)峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存(cún))市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。<bno护照是什么意思 bno护照是英国国籍吗/p>

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降,至少已经不是(shì)主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē),确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì),公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券商(shāng)此前就分析(xī),如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制,或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽,催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75%。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单,设备(bèi)国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗(xǐ))等收入(rù)增长。

 

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