大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(z现实中有和自己儿子的吗，有多少给过自己的儿子uò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。现实中有和自己儿子的吗，有多少给过自己的儿子另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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