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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zà40目筛网孔径是多少毫米 40目筛网孔径多大i)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(p40目筛网孔径是多少毫米 40目筛网孔径多大íng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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