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　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进im医学上是什么意思行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫im医学上是什么意思保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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