大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品吉美生肖是哪几吉美生肖是哪几肖 吉美凶丑打一正确生肖肖 吉美凶丑打一正确生肖进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大(dà)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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