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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应(yī发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强ng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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