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中国人在德国受歧视吗,德国人很排斥中国人吗

中国人在德国受歧视吗,德国人很排斥中国人吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

  美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn),影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全,依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》,网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》,对(duì)美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头,也是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的中国人在德国受歧视吗,德国人很排斥中国人吗供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì),或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu),同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽,催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升,以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增(zēng)长。

 

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