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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guān穿着高跟鞋的女奥特曼，穿红色高跟鞋的奥特曼g)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武穿着高跟鞋的女奥特曼，穿红色高跟鞋的奥特曼汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以穿着高跟鞋的女奥特曼，穿红色高跟鞋的奥特曼及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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