大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS M一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米arkit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(z一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米hǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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