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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光什么是艾里斯ABC理论 艾里斯abc理论提出的时间公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头什么是艾里斯ABC理论 艾里斯abc理论提出的时间之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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