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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品什么叫人文关怀，人文关怀体现在哪些方面服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 什么叫人文关怀，人文关怀体现在哪些方面94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经什么叫人文关怀，人文关怀体现在哪些方面不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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