大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(z曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思hōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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