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　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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