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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún200mm是多少米，2000mm是多少米)储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)200mm是多少米，2000mm是多少米采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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