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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zà18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗o)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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