大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比羽生结弦说为什么努力得不到回报，羽生结弦近视多少度(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销售羽生结弦说为什么努力得不到回报，羽生结弦近视多少度受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)羽生结弦说为什么努力得不到回报，羽生结弦近视多少度，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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