大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。俯首甘为孺子牛的含义是什么意思，俯首甘为孺子牛的上句是什么>为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网俯首甘为孺子牛的含义是什么意思，俯首甘为孺子牛的上句是什么(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。