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只要开窗一定不会煤气中毒吗,怎么判断煤气是不是漏了

只要开窗一定不会煤气中毒吗,怎么判断煤气是不是漏了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发(fā)消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

  此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查(chá),目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全(quán),是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文称,为保障关键信息基础设施供应链安全(quán),防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险,维护国家安全,依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》,网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头,也是(shì)全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电(dià只要开窗一定不会煤气中毒吗,怎么判断煤气是不是漏了n)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM (内存)市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng),采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì),公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制,或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的(de)深孔,未来可只要开窗一定不会煤气中毒吗,怎么判断煤气是不是漏了能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù),薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗)等收入(rù)增长。

 

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