大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(s穿着高跟鞋的女奥特曼，穿红色高跟鞋的奥特曼hěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Fla穿着高跟鞋的女奥特曼，穿红色高跟鞋的奥特曼sh （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。穿着高跟鞋的女奥特曼，穿红色高跟鞋的奥特曼2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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