大(dà)家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内(bd和hd哪个好，bd和蓝光有什么区别nèi)关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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