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昆仑山在哪个省哪个市,昆仑山在哪个省哪个市哪个县 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规,我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

  此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查,目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放,只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

昆仑山在哪个省哪个市,昆仑山在哪个省哪个市哪个县>  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网(wǎng)信网发文称(chēng),为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风(fēng)险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng),至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金昆仑山在哪个省哪个市,昆仑山在哪个省哪个市哪个县额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约,确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势,公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前(qián)就分析(xī),如(rú)果美光在中国区销售受到限制,或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

  分(fēn)析称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单(dān),设备(bèi)国产化进程加速(sù),看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额提升(shēng),以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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