大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了之字是什么结构的字，近字是什么结构长期合约(yuē)，确保存(cún之字是什么结构的字，近字是什么结构)储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī之字是什么结构的字，近字是什么结构)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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