大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，拔冗莅临是什么意思boronnijijiao，拔冗莅临是什么意思？ 词语g>美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基(j拔冗莅临是什么意思boronnijijiao，拔冗莅临是什么意思？ 词语ī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰5拔冗莅临是什么意思boronnijijiao，拔冗莅临是什么意思？ 词语7％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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