大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公knocked什么意思，knocking什么意思司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)knocked什么意思，knocking什么意思市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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