大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月3阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊1日(rì)，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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