大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国(gu吴亦凡现在在哪里关着ó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要吴亦凡现在在哪里关着大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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