大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市三公里是多少米，三公里是多少米(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Fl三公里是多少米，三公里是多少米ash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；20三公里是多少米，三公里是多少米22年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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