大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(ch反射弧包括哪五个部分，反射弧包括哪五个部分顺序ǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu反射弧包括哪五个部分，反射弧包括哪五个部分顺序)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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