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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办武汉市有多少人口2023年，武汉市有多少人口2022总人数法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(k武汉市有多少人口2023年，武汉市有多少人口2022总人数ǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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