大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保40目筛网孔径是多少毫米 40目筛网孔径多大障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(gu40目筛网孔径是多少毫米 40目筛网孔径多大āng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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