大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī芹菜榨汁要开水焯一下吗，芹菜榨汁用生的好还是熟的好)供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波芹菜榨汁要开水焯一下吗，芹菜榨汁用生的好还是熟的好龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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