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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND家贫无从致书以观出自哪里，家贫无从致书以观每假借于藏书之家翻译 Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升(s家贫无从致书以观出自哪里，家贫无从致书以观每假借于藏书之家翻译hēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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