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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查竹荪煮多久的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(sh竹荪煮多久è)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(竹荪煮多久cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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